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B2D16120HC1

Diode: redressement Schottky; SiC; THT; 1,2kV; 8Ax2; TO247-3; 74W

Fabricant: BASiC SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:
B2D16120HC1
Référence TME:
B2D16120HC1

Spécification

Fabricant
BASiC SEMICONDUCTOR
Type de diode
redressement Schottky
La technologie
SiC
Montage
THT
Tension inverse max.
1,2kV
Courant de conduction
8A x2
Construction de semi-conducteur
catode commune, double
Boîtier
TO247-3
Tension de conduction max.
1,82V
Courant de conduction max.
16A
Courant d'impulsion max.
80A
courant de fuite
30µA
Puissance de dissipation
74W
Genre de la emballage
tube
Poids brut6.16 g
Certificates

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B2D16120HC1
33 dans l'entrepôt TME
Prix net pour les quantités de 1 pcs - 3.43 GBPPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 4.12 GBP
Prix net pour les quantités de 5 pcs - 3.08 GBPPrix brut pour les quantités de 5 pcs - 3.70 GBP
Prix net pour les quantités de 30 pcs - 2.73 GBPPrix brut pour les quantités de 30 pcs - 3.28 GBP
Prix net pour les quantités de 150 pcs - 2.29 GBPPrix brut pour les quantités de 150 pcs - 2.75 GBP
Prix net pour les quantités de 600 pcs - 2.21 GBPPrix brut pour les quantités de 600 pcs - 2.65 GBP
Nombre de pièces (Multiplication: 1)
Méthode d'emballage par le fabricantTube = 30 pcs