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Fabricant | BASiC SEMICONDUCTOR | ||
Type de diode | redressement Schottky | ||
La technologie | SiC | ||
Montage | THT | ||
Tension inverse max. | 650V | ||
Courant de conduction | 10A x2 | ||
Construction de semi-conducteur | catode commune, double | ||
Boîtier | TO3PF | ||
Tension de conduction max. | 1,62V | ||
Courant de conduction max. | 20A | ||
Courant d'impulsion max. | 70A | ||
courant de fuite | 20µA | ||
Puissance de dissipation | 33W | ||
Genre de la emballage | tube |