B2D20120H1
Diode: redressement Schottky; SiC; THT; 1,2kV; 20A; TO247-2; 159W
Fabricant: BASiC SEMICONDUCTOR
Marque du fabricant:
B2D20120H1
Référence TME:
B2D20120H1
Spécification
Fabricant | BASiC SEMICONDUCTOR | ||
Type de diode | redressement Schottky | ||
La technologie | SiC | ||
Montage | THT | ||
Tension inverse max. | 1,2kV | ||
Courant de conduction | 20A | ||
Construction de semi-conducteur | diode simple | ||
Boîtier | TO247-2 | ||
Tension de conduction max. | 1,78V | ||
Courant d'impulsion max. | 190A | ||
courant de fuite | 40µA | ||
Puissance de dissipation | 159W | ||
Genre de la emballage | tube |
Poids brut5.85 g
Certificates
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* B2D20120H1Nombre de pièces (Multiplication: 1)
29 dans l'entrepôt TME
Prix net pour les quantités de 1 pcs - 5.94 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 7.12 USD
Prix net pour les quantités de 5 pcs - 5.34 USDPrix brut pour les quantités de 5 pcs - 6.41 USD
Prix net pour les quantités de 30 pcs - 4.72 USDPrix brut pour les quantités de 30 pcs - 5.66 USD
Prix net pour les quantités de 150 pcs - 3.96 USDPrix brut pour les quantités de 150 pcs - 4.75 USD
Prix net pour les quantités de 600 pcs - 3.82 USDPrix brut pour les quantités de 600 pcs - 4.58 USD
Méthode d'emballage par le fabricantTube = 30 pcs