B2D20120HC1
Diode: redressement Schottky; SiC; THT; 1,2kV; 10Ax2; TO247-3; 60W
Fabricant: BASiC SEMICONDUCTOR
Marque du fabricant:
B2D20120HC1
Référence TME:
B2D20120HC1
Spécification
Fabricant | BASiC SEMICONDUCTOR | ||
Type de diode | redressement Schottky | ||
La technologie | SiC | ||
Montage | THT | ||
Tension inverse max. | 1,2kV | ||
Courant de conduction | 10A x2 | ||
Construction de semi-conducteur | catode commune, double | ||
Boîtier | TO247-3 | ||
Tension de conduction max. | 2V | ||
Courant de conduction max. | 20A | ||
Courant d'impulsion max. | 90A | ||
courant de fuite | 40µA | ||
Puissance de dissipation | 60W | ||
Genre de la emballage | tube |
Poids brut6.2 g
Certificates
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* B2D20120HC1Nombre de pièces (Multiplication: 1)
41 dans l'entrepôt TME
Prix net pour les quantités de 1 pcs - 5.14 EURPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 6.17 EUR
Prix net pour les quantités de 5 pcs - 4.62 EURPrix brut pour les quantités de 5 pcs - 5.54 EUR
Prix net pour les quantités de 30 pcs - 4.08 EURPrix brut pour les quantités de 30 pcs - 4.90 EUR
Prix net pour les quantités de 150 pcs - 3.43 EURPrix brut pour les quantités de 150 pcs - 4.11 EUR
Prix net pour les quantités de 600 pcs - 3.31 EURPrix brut pour les quantités de 600 pcs - 3.97 EUR
Méthode d'emballage par le fabricantTube = 30 pcs