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B2M032120Y

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolaire; 1,2kV; 60A; Idm: 190A; 375W

Fabricant: BASiC SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:
B2M032120Y
Référence TME:
B2M032120Y

Spécification

Fabricant
BASiC SEMICONDUCTOR
Type de transistor
N-MOSFET
La technologie
SiC
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
1,2kV
Courant du drain
60A
Courant du drain dans l'impulsion
190A
Puissance de dissipation
375W
Boîtier
TO247PLUS-4
Tension entrée-source
-4...18V
Résistance en état de conduction
50mΩ
Montage
THT
Charge d'entrée
40nC
Genre de la emballage
tube
Genre de canal
enrichi
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs
sortie Kelvin
Poids brut7.01 g
Certificates

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B2M032120Y
51 dans l'entrepôt TME
Prix net pour les quantités de 1 pcs - 15.30 EURPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 18.36 EUR
Prix net pour les quantités de 3 pcs - 13.82 EURPrix brut pour les quantités de 3 pcs - 16.58 EUR
Prix net pour les quantités de 10 pcs - 12.17 EURPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 14.60 EUR
Prix net pour les quantités de 30 pcs - 10.95 EURPrix brut pour les quantités de 30 pcs - 13.14 EUR
Nombre de pièces (Multiplication: 1)
Méthode d'emballage par le fabricantTube = 30 pcs