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B3D20120HC

Diode: redressement Schottky; SiC; THT; 1,2kV; 10Ax2; TO247-3; 167W

Fabricant: BASiC SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:
B3D20120HC
Référence TME:
B3D20120HC
BASiC SEMICONDUCTOR - logo

Spécification

Fabricant
BASiC SEMICONDUCTOR
Type de diode
redressement Schottky
La technologie
SiC
Montage
THT
Tension inverse max.
1,2kV
Courant de conduction
10A x2
Construction de semi-conducteur
catode commune, double
Boîtier
TO247-3
Courant de conduction max.
20A
Courant d'impulsion max.
90A
Puissance de dissipation
167W
Genre de la emballage
tube
Poids brut1 g
Certificates

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B3D20120HC
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Prix net pour les quantités de 1 pcs - 1.41 GBPPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 1.69 GBP
Prix net pour les quantités de 10 pcs - 1.27 GBPPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 1.52 GBP
Prix net pour les quantités de 30 pcs - 1.12 GBPPrix brut pour les quantités de 30 pcs - 1.35 GBP
Prix net pour les quantités de 120 pcs - 1.01 GBPPrix brut pour les quantités de 120 pcs - 1.21 GBP
Prix net pour les quantités de 300 pcs - 0.94 GBPPrix brut pour les quantités de 300 pcs - 1.13 GBP
Nombre de pièces (Multiplication: 1)