BFU725F/N1,115

Name: NXP BFU725F/N1.115
Brand: NXP
SKU: BFU725F/N1.115
Availability: InStock

Transistor: NPN; bipolaire; RF; 2,8V; 40mA; 136mW; SOT343F

Fabricant: NXP

Marque du fabricant:

BFU725F/N1,115

Référence TME:

BFU725F/N1.115

BFU725F/N1,115

Prix net pour les quantités de 1 pcs - 0.77 EURPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 0.93 EUR

Prix net pour les quantités de 10 pcs - 0.50 EURPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 0.60 EUR

Prix net pour les quantités de 50 pcs - 0.35 EURPrix brut pour les quantités de 50 pcs - 0.42 EUR

Prix net pour les quantités de 100 pcs - 0.30 EURPrix brut pour les quantités de 100 pcs - 0.36 EUR

Prix net pour les quantités de 500 pcs - 0.22 EURPrix brut pour les quantités de 500 pcs - 0.27 EUR

Prix net pour les quantités de 1000 pcs - 0.21 EURPrix brut pour les quantités de 1000 pcs - 0.25 EUR

Prix net pour les quantités de 3000 pcs - 0.20 EURPrix brut pour les quantités de 3000 pcs - 0.23 EUR

Nombre de pièces (Multiplication: 1)

Méthode d'emballage par le fabricantRouleau = 3 000 pcs

Fabricant	NXP
Type de transistor	NPN
Polarisation	bipolaire
Genre de transistor	RF
Tensions collecteur-émetteur	2,8V
Courant du collecteur	40mA
Puissance de dissipation	136mW
Boîtier	SOT343F
Renforcement du transistor	160...400
Montage	SMD
Genre de la emballage	bande, rouleau
Fréquence	110GHz
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs	silicon germanium transistor (SiGe)