BGH50N65HF1
Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Fabricant: BASiC SEMICONDUCTOR
Marque du fabricant:
BGH50N65HF1
Référence TME:
BGH50N65HF1
Spécification
Fabricant | BASiC SEMICONDUCTOR | ||
Type de transistor | IGBT | ||
La technologie | Field Stop, SiC SBD, Trench | ||
Tensions collecteur-émetteur | 650V | ||
Courant du collecteur | 50A | ||
Puissance de dissipation | 357W | ||
Boîtier | TO247-3 | ||
Tension entrée - émetteur | ±20V | ||
Courant du collecteur d'impulsion | 200A | ||
Montage | THT | ||
Charge d'entrée | 308nC | ||
Genre de la emballage | tube | ||
Temps de connection | 54ns | ||
Temps d'extinction | 256ns | ||
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs | integrated anti-parallel diode |
Poids brut6.245 g
Certificates
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* BGH50N65HF1Nombre de pièces (Multiplication: 1)
57 dans l'entrepôt TME
Prix net pour les quantités de 1 pcs - 11.60 EURPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 13.92 EUR
Prix net pour les quantités de 5 pcs - 10.50 EURPrix brut pour les quantités de 5 pcs - 12.60 EUR
Prix net pour les quantités de 30 pcs - 9.24 EURPrix brut pour les quantités de 30 pcs - 11.08 EUR
Prix net pour les quantités de 150 pcs - 7.74 EURPrix brut pour les quantités de 150 pcs - 9.29 EUR
Prix net pour les quantités de 600 pcs - 7.47 EURPrix brut pour les quantités de 600 pcs - 8.97 EUR
Méthode d'emballage par le fabricantTube = 30 pcs