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BGH50N65ZF1

Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-4

Fabricant: BASiC SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:
BGH50N65ZF1
Référence TME:
BGH50N65ZF1

Spécification

Fabricant
BASiC SEMICONDUCTOR
Type de transistor
IGBT
La technologie
Field Stop, SiC SBD, Trench
Tensions collecteur-émetteur
650V
Courant du collecteur
50A
Puissance de dissipation
357W
Boîtier
TO247-4
Tension entrée - émetteur
±20V
Courant du collecteur d'impulsion
200A
Montage
THT
Charge d'entrée
308nC
Genre de la emballage
tube
Temps de connection
54ns
Temps d'extinction
476ns
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs
integrated anti-parallel diode
Poids brut6.72 g
Certificates

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BGH50N65ZF1
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Prix net pour les quantités de 1 pcs - 8.40 EURPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 10.08 EUR
Prix net pour les quantités de 5 pcs - 7.57 EURPrix brut pour les quantités de 5 pcs - 9.07 EUR
Prix net pour les quantités de 30 pcs - 6.69 EURPrix brut pour les quantités de 30 pcs - 8.02 EUR
Prix net pour les quantités de 150 pcs - 5.61 EURPrix brut pour les quantités de 150 pcs - 6.73 EUR
Prix net pour les quantités de 600 pcs - 5.40 EURPrix brut pour les quantités de 600 pcs - 6.48 EUR
Nombre de pièces (Multiplication: 1)
Produit disponible uniquement jusqu’à épuisement des stocks
Méthode d'emballage par le fabricantTube = 30 pcs