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BGH75N65HF1

Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-3

Fabricant: BASiC SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:
BGH75N65HF1
Référence TME:
BGH75N65HF1

Spécification

Fabricant
BASiC SEMICONDUCTOR
Type de transistor
IGBT
La technologie
Field Stop, SiC SBD, Trench
Tensions collecteur-émetteur
650V
Courant du collecteur
75A
Puissance de dissipation
405W
Boîtier
TO247-3
Tension entrée - émetteur
±20V
Courant du collecteur d'impulsion
300A
Montage
THT
Charge d'entrée
444nC
Genre de la emballage
tube
Temps de connection
104ns
Temps d'extinction
376ns
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs
integrated anti-parallel diode
Poids brut5 g
Certificates

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BGH75N65HF1
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Prix net pour les quantités de 1 pcs - 10.21 EURPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 12.25 EUR
Prix net pour les quantités de 5 pcs - 9.18 EURPrix brut pour les quantités de 5 pcs - 11.01 EUR
Prix net pour les quantités de 30 pcs - 8.11 EURPrix brut pour les quantités de 30 pcs - 9.73 EUR
Prix net pour les quantités de 150 pcs - 6.80 EURPrix brut pour les quantités de 150 pcs - 8.16 EUR
Prix net pour les quantités de 600 pcs - 6.62 EURPrix brut pour les quantités de 600 pcs - 7.94 EUR
Nombre de pièces (Multiplication: 1)