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BGH75N65ZF1

Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-4

Fabricant: BASiC SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:
BGH75N65ZF1
Référence TME:
BGH75N65ZF1

Spécification

Fabricant
BASiC SEMICONDUCTOR
Type de transistor
IGBT
La technologie
Field Stop, SiC SBD, Trench
Tensions collecteur-émetteur
650V
Courant du collecteur
75A
Puissance de dissipation
405W
Boîtier
TO247-4
Tension entrée - émetteur
±20V
Courant du collecteur d'impulsion
300A
Montage
THT
Charge d'entrée
444nC
Genre de la emballage
tube
Temps de connection
84ns
Temps d'extinction
565ns
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs
integrated anti-parallel diode
Poids brut6.687 g
Certificates

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BGH75N65ZF1
29 dans l'entrepôt TME
Prix net pour les quantités de 1 pcs - 14.62 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 17.55 USD
Prix net pour les quantités de 5 pcs - 13.12 USDPrix brut pour les quantités de 5 pcs - 15.74 USD
Prix net pour les quantités de 30 pcs - 11.54 USDPrix brut pour les quantités de 30 pcs - 13.84 USD
Prix net pour les quantités de 150 pcs - 9.67 USDPrix brut pour les quantités de 150 pcs - 11.60 USD
Prix net pour les quantités de 600 pcs - 9.32 USDPrix brut pour les quantités de 600 pcs - 11.18 USD
Nombre de pièces (Multiplication: 1)
Méthode d'emballage par le fabricantTube = 30 pcs