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Fabricant | BASiC SEMICONDUCTOR | ||
Type de transistor | IGBT | ||
La technologie | Field Stop, SiC SBD, Trench | ||
Tensions collecteur-émetteur | 650V | ||
Courant du collecteur | 75A | ||
Puissance de dissipation | 405W | ||
Boîtier | TO247-4 | ||
Tension entrée - émetteur | ±20V | ||
Courant du collecteur d'impulsion | 300A | ||
Montage | THT | ||
Charge d'entrée | 444nC | ||
Genre de la emballage | tube | ||
Temps de connection | 84ns | ||
Temps d'extinction | 565ns | ||
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs | integrated anti-parallel diode |