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FDS3890

Transistor: N-MOSFET x2; unipolaire; 80V; 4,7A; Idm: 20A; 2W; SO8


Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
FDS3890
Référence TME:
FDS3890

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de transistor
N-MOSFET x2
La technologie
PowerTrench®
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
80V
Courant du drain
4,7A
Courant du drain dans l'impulsion
20A
Puissance de dissipation
2W
Boîtier
SO8
Tension entrée-source
±20V
Résistance en état de conduction
82mΩ
Montage
SMD
Charge d'entrée
35nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Poids brut0.1 g
Certificates

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FDS3890
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