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FDS6898A

Transistor: N-MOSFET x2; unipolaire; 20V; 9,4A; 2W; SO8

Documentation EN
Famille de produits

Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
FDS6898A
Référence TME:
FDS6898A

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de transistor
N-MOSFET x2
La technologie
PowerTrench®
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
20V
Courant du drain
9,4A
Puissance de dissipation
2W
Boîtier
SO8
Tension entrée-source
±12V
Résistance en état de conduction
21mΩ
Montage
SMD
Charge d'entrée
23nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Poids brut0.129 g
Certificates
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FDS6898A
1624 dans l'entrepôt TME
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Prix net pour les quantités de 10 pcs - 0.76 EURPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 0.92 EUR
Prix net pour les quantités de 50 pcs - 0.62 EURPrix brut pour les quantités de 50 pcs - 0.74 EUR
Prix net pour les quantités de 100 pcs - 0.57 EURPrix brut pour les quantités de 100 pcs - 0.68 EUR
Prix net pour les quantités de 500 pcs - 0.53 EURPrix brut pour les quantités de 500 pcs - 0.63 EUR
Nombre de pièces (Multiplication: 1)
La quantité minimum possible pour la commande: 1.
Multiplication: 1.
Produit disponible uniquement jusqu’à épuisement des stocks
Méthode d'emballage par le fabricantRouleau = 2 500 pcs