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FDS8949

Transistor: N-MOSFET x2; unipolaire; 40V; 6A; 2W; SO8

Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
FDS8949
Référence TME:
FDS8949

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de transistor
N-MOSFET x2
La technologie
PowerTrench®
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
40V
Courant du drain
6A
Puissance de dissipation
2W
Boîtier
SO8
Tension entrée-source
±20V
Résistance en état de conduction
43mΩ
Montage
SMD
Charge d'entrée
11nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Poids brut0.141 g
Certificates
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FDS8949
1686 dans l'entrepôt TME
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Prix net pour les quantités de 10 pcs - 0.68 GBPPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 0.82 GBP
Prix net pour les quantités de 50 pcs - 0.51 GBPPrix brut pour les quantités de 50 pcs - 0.62 GBP
Prix net pour les quantités de 100 pcs - 0.46 GBPPrix brut pour les quantités de 100 pcs - 0.55 GBP
Prix net pour les quantités de 500 pcs - 0.35 GBPPrix brut pour les quantités de 500 pcs - 0.42 GBP
Prix net pour les quantités de 1000 pcs - 0.31 GBPPrix brut pour les quantités de 1000 pcs - 0.37 GBP
Prix net pour les quantités de 2500 pcs - 0.30 GBPPrix brut pour les quantités de 2500 pcs - 0.36 GBP
Nombre de pièces (Multiplication: 1)
Méthode d'emballage par le fabricantRouleau = 2 500 pcs