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Fabricant	ONSEMI
Type de transistor	N/P-MOSFET
La technologie	PowerTrench®
Polarisation	unipolaire
Genre de transistor	paire complémentaire
Tension drain-source	30/-30V
Courant du drain	7/-5A
Puissance de dissipation	1,6W
Boîtier	SO8
Tension entrée-source	±20V
Résistance en état de conduction	40/80mΩ
Montage	SMD
Genre de la emballage	bande, rouleau
Genre de canal	enrichi

FDS8958A

Transistor: N/P-MOSFET; unipolaire; paire complémentaire; 7/-5A

Spécification