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G3R20MT12N

Module; transistor simple; 1,2kV; 74A; SOT227B; vissés; Idm: 240A

Fabricant: GeneSiC SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:
G3R20MT12N
Référence TME:
G3R20MT12N

Spécification

Fabricant
GeneSiC SEMICONDUCTOR
Type de module semi-conducteur
de transistor MOSFET
Construction de semi-conducteur
transistor simple
Tension drain-source
1,2kV
Courant du drain
74A
Boîtier
SOT227B
Montage électrique
vissés
Polarisation
unipolaire
Résistance en état de conduction
20mΩ
Courant du drain dans l'impulsion
240A
Puissance de dissipation
365W
La technologie
G3R™, SiC
Genre de canal
enrichi
Tension entrée-source
-5...15V
Montage mécanique
vissés
Poids brut35.39 g
Certificates
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G3R20MT12N
105 dans l'entrepôt TME
Prix net pour les quantités de 1 pcs - 47.65 EURPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 57.18 EUR
Prix net pour les quantités de 5 pcs - 45.79 EURPrix brut pour les quantités de 5 pcs - 54.94 EUR
Prix net pour les quantités de 10 pcs - 44.92 EURPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 53.90 EUR
Nombre de pièces (Multiplication: 1)
Méthode d'emballage par le fabricantTube = 10 pcs