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Fabricant	STARPOWER SEMICONDUCTOR
Type de module semi-conducteur	IGBT
Construction de semi-conducteur	diode/transistor
Topologie	onduleur 3-niveaux 1-phase, thermistor NTC
Tension inverse max.	650V
Courant du collecteur	100A
Boîtier	L3.1
Montage électrique	Press-in PCB
Tension entrée - émetteur	±20V
Courant du collecteur d'impulsion	200A
La technologie	Trench FS IGBT
Montage mécanique	vissés

GD100MLX65L3S

Module: IGBT; diode/transistor; onduleur 3-niveaux 1-phase; L3.1

Spécification