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GD100SGY120D6S

Module: IGBT; transistor simple; transistor simple; Urmax: 1200V

Famille de produits

Fabricant: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:
GD100SGY120D6S
Référence TME:
GD100SGY120D6S

Spécification

Fabricant
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Type de module semi-conducteur
IGBT
Construction de semi-conducteur
transistor simple
Topologie
transistor simple
Tension inverse max.
1,2kV
Courant du collecteur
100A
Boîtier
D6
Montage électrique
vissés
Tension entrée - émetteur
±20V
Courant du collecteur d'impulsion
200A
La technologie
Advanced Trench FS IGBT
Montage mécanique
vissés
Poids brut24 g
Certificates
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GD100SGY120D6S
0 dans l'entrepôt TME
Prix net pour les quantités de 1 pcs - 26.08 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 31.30 USD
Prix net pour les quantités de 3 pcs - 23.06 USDPrix brut pour les quantités de 3 pcs - 27.67 USD
Prix net pour les quantités de 10 pcs - 20.73 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 24.88 USD
Nombre de pièces (Multiplication: 1)
La quantité minimum possible pour la commande: 1.
Multiplication: 1.