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GD10PJY120F1S

Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F1.1

Famille de produits

Fabricant: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:
GD10PJY120F1S
Référence TME:
GD10PJY120F1S

Spécification

Fabricant
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Type de module semi-conducteur
IGBT
Construction de semi-conducteur
diode/transistor
Topologie
boost chopper, pont 3-phases IGBT sortie OE, redresseur 3-phase, thermistor NTC
Tension inverse max.
1,2kV
Courant du collecteur
10A
Boîtier
F1.1
Montage électrique
Press-in PCB
Tension entrée - émetteur
±20V
Courant du collecteur d'impulsion
20A
La technologie
Advanced Trench FS IGBT
Montage mécanique
vissés
Poids brut26 g
Certificates
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GD10PJY120F1S
0 dans l'entrepôt TME
Prix net pour les quantités de 1 pcs - 35.64 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 42.76 USD
Prix net pour les quantités de 3 pcs - 31.45 USDPrix brut pour les quantités de 3 pcs - 37.73 USD
Prix net pour les quantités de 10 pcs - 28.30 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 33.96 USD
Prix net pour les quantités de 25 pcs - 26.44 USDPrix brut pour les quantités de 25 pcs - 31.72 USD
Nombre de pièces (Multiplication: 1)
La quantité minimum possible pour la commande: 1.
Multiplication: 1.