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Fabricant	STARPOWER SEMICONDUCTOR
Type de module semi-conducteur	IGBT
Construction de semi-conducteur	transistor/transistor
Topologie	demi-pont IGBT
Tension inverse max.	650V
Courant du collecteur	200A
Boîtier	C8 48mm
Montage électrique	FASTON connecteurs, vissés
Tension entrée - émetteur	±20V
Courant du collecteur d'impulsion	400A
La technologie	Trench FS IGBT
Montage mécanique	vissés

GD200HFX65C8S

Module: IGBT; transistor/transistor; demi-pont IGBT; Urmax: 650V

Spécification