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GD20PJX65L2S

Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 20A

Famille de produits

Fabricant: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:
GD20PJX65L2S
Référence TME:
GD20PJX65L2S

Spécification

Fabricant
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Type de module semi-conducteur
IGBT
Construction de semi-conducteur
diode/transistor
Topologie
boost chopper, pont 3-phases IGBT sortie OE, redresseur 3-phase, thermistor NTC
Tension inverse max.
650V
Courant du collecteur
20A
Boîtier
L2.2
Montage électrique
Press-in PCB
Tension entrée - émetteur
±20V
Courant du collecteur d'impulsion
40A
La technologie
Trench FS IGBT
Montage mécanique
vissés
Poids brut24 g
Certificates
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GD20PJX65L2S
0 dans l'entrepôt TME
Prix net pour les quantités de 1 pcs - 34.51 EURPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 41.41 EUR
Prix net pour les quantités de 3 pcs - 30.40 EURPrix brut pour les quantités de 3 pcs - 36.48 EUR
Prix net pour les quantités de 12 pcs - 27.30 EURPrix brut pour les quantités de 12 pcs - 32.76 EUR
Prix net pour les quantités de 24 pcs - 25.50 EURPrix brut pour les quantités de 24 pcs - 30.60 EUR
Nombre de pièces (Multiplication: 1)