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GD35PJY120L3S

Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; L3.0

Famille de produits

Fabricant: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:
GD35PJY120L3S
Référence TME:
GD35PJY120L3S

Spécification

Fabricant
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Type de module semi-conducteur
IGBT
Construction de semi-conducteur
diode/transistor
Topologie
boost chopper, pont 3-phases IGBT sortie OE, redresseur 3-phase, thermistor NTC
Tension inverse max.
1,2kV
Courant du collecteur
35A
Boîtier
L3.0
Montage électrique
Press-in PCB
Tension entrée - émetteur
±20V
Courant du collecteur d'impulsion
70A
La technologie
Advanced Trench FS IGBT
Montage mécanique
vissés
Poids brut43.57 g
Certificates
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GD35PJY120L3S
10 dans l'entrepôt TME
Prix net pour les quantités de 1 pcs - 50.30 EURPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 60.36 EUR
Prix net pour les quantités de 4 pcs - 44.41 EURPrix brut pour les quantités de 4 pcs - 53.29 EUR
Prix net pour les quantités de 16 pcs - 39.90 EURPrix brut pour les quantités de 16 pcs - 47.88 EUR
Nombre de pièces (Multiplication: 1)
La quantité minimum possible pour la commande: 1.
Multiplication: 1.
Méthode d'emballage par le fabricantPlateau = 16 pcs