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GD40PIY120C5S

Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V

Famille de produits

Fabricant: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:
GD40PIY120C5S
Référence TME:
GD40PIY120C5S

Spécification

Fabricant
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Type de module semi-conducteur
IGBT
Construction de semi-conducteur
diode/transistor
Topologie
boost chopper, pont 3-phases IGBT sortie OE, redresseur 3-phase, thermistor NTC
Tension inverse max.
1,2kV
Courant du collecteur
40A
Boîtier
C5 45mm
Montage électrique
Press-in PCB
Tension entrée - émetteur
±20V
Courant du collecteur d'impulsion
80A
La technologie
Advanced Trench FS IGBT
Montage mécanique
vissés
Poids brut174.61 g
Certificates
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GD40PIY120C5S
8 dans l'entrepôt TME
Prix net pour les quantités de 1 pcs - 70.16 EURPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 84.19 EUR
Prix net pour les quantités de 3 pcs - 62.05 EURPrix brut pour les quantités de 3 pcs - 74.46 EUR
Prix net pour les quantités de 12 pcs - 55.75 EURPrix brut pour les quantités de 12 pcs - 66.90 EUR
Nombre de pièces (Multiplication: 1)
La quantité minimum possible pour la commande: 1.
Multiplication: 1.
Méthode d'emballage par le fabricantPlateau = 12 pcs