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GD50HFX65C1S

Module: IGBT; transistor/transistor; demi-pont IGBT; Urmax: 650V

Famille de produits

Fabricant: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:
GD50HFX65C1S
Référence TME:
GD50HFX65C1S

Spécification

Fabricant
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Type de module semi-conducteur
IGBT
Construction de semi-conducteur
transistor/transistor
Topologie
demi-pont IGBT
Tension inverse max.
650V
Courant du collecteur
50A
Boîtier
C1 34mm
Montage électrique
FASTON connecteurs, vissés
Tension entrée - émetteur
±20V
Courant du collecteur d'impulsion
100A
La technologie
Trench FS IGBT
Montage mécanique
vissés
Poids brut150 g
Certificates
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GD50HFX65C1S
0 dans l'entrepôt TME
Prix net pour les quantités de 1 pcs - 32.91 GBPPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 39.49 GBP
Prix net pour les quantités de 3 pcs - 29.14 GBPPrix brut pour les quantités de 3 pcs - 34.97 GBP
Prix net pour les quantités de 12 pcs - 26.15 GBPPrix brut pour les quantités de 12 pcs - 31.38 GBP
Prix net pour les quantités de 24 pcs - 24.36 GBPPrix brut pour les quantités de 24 pcs - 29.23 GBP
Nombre de pièces (Multiplication: 1)