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HP8MA2TB1

Transistor: N/P-MOSFET; unipolaire; 30/-30V; 18/-15A; Idm: 48A; 7W

Famille de produits

Fabricant: ROHM SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:
HP8MA2TB1
Référence TME:
HP8MA2TB1

Spécification

Fabricant
ROHM SEMICONDUCTOR
Type de transistor
N/P-MOSFET
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
30/-30V
Courant du drain
18/-15A
Courant du drain dans l'impulsion
48A
Puissance de dissipation
7W
Boîtier
HSOP8
Tension entrée-source
±20V
Résistance en état de conduction
16,4/29mΩ
Montage
SMD
Charge d'entrée
22/25nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Poids brut0.1 g
Certificates

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HP8MA2TB1
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Multiplication: 1.