IXGN200N170
Module: IGBT; transistor simple; Urmax: 1,7kV; Ic: 160A; SOT227B
Fabricant: IXYS
Marque du fabricant:
IXGN200N170
Référence TME:
IXGN200N170
Spécification
Fabricant | IXYS | ||
Type de module semi-conducteur | IGBT | ||
Construction de semi-conducteur | transistor simple | ||
Tension inverse max. | 1,7kV | ||
Courant du collecteur | 160A | ||
Boîtier | SOT227B | ||
Montage électrique | vissés | ||
Tension entrée - émetteur | ±20V | ||
Courant du collecteur d'impulsion | 1,05kA | ||
Puissance de dissipation | 1,25kW | ||
La technologie | NPT | ||
Montage mécanique | vissés |
Poids brut30 g
Certificates
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* IXGN200N170Nombre de pièces (Multiplication: 1)
0 dans l'entrepôt TME
Prix net pour les quantités de 1 pcs - 65.78 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 78.94 USD
Prix net pour les quantités de 5 pcs - 60.64 USDPrix brut pour les quantités de 5 pcs - 72.76 USD
Prix net pour les quantités de 10 pcs - 58.51 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 70.21 USD