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Fabricant	IXYS
Type de module semi-conducteur	IGBT
Construction de semi-conducteur	transistor simple
Tension inverse max.	1,2kV
Courant du collecteur	66A
Boîtier	SOT227B
Montage électrique	vissés
Tension entrée - émetteur	±20V
Courant du collecteur d'impulsion	320A
Puissance de dissipation	500W
La technologie	GenX3™, XPT™
Montage mécanique	vissés

IXYN82N120C3H1

Module: IGBT; transistor simple; Urmax: 1,2kV; Ic: 66A; SOT227B

Spécification