MCNA120UI2200TED
Module: IGBT; diode/thyristor/IGBT; boost chopper; Urmax: 2,2kV
Fabricant: IXYS
Marque du fabricant:
MCNA120UI2200TED
Référence TME:
MCNA120UI2200TED
Spécification
Fabricant | IXYS | ||
Type de module semi-conducteur | IGBT | ||
Construction de semi-conducteur | diode/thyristor/IGBT | ||
Topologie | boost chopper, pont 3-phase diode-thyristor, thermistor NTC | ||
Tension inverse max. | 2,2kV | ||
Courant du collecteur | 80A | ||
Boîtier | E2-Pack | ||
Utilisation | onduleur | ||
Montage électrique | Press-in PCB | ||
Tension entrée - émetteur | ±20V | ||
Courant du collecteur d'impulsion | 150A | ||
Montage mécanique | vissés |
Poids brut10 g
Certificates
Voir tous les produits de cette catégorie: Modules IGBT IXYS,
* MCNA120UI2200TEDNombre de pièces (Multiplication: 1)
0 dans l'entrepôt TME
Prix net pour les quantités de 1 pcs - 183.32 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 219.98 USD
Prix net pour les quantités de 3 pcs - 163.59 USDPrix brut pour les quantités de 3 pcs - 196.31 USD
Prix net pour les quantités de 6 pcs - 146.19 USDPrix brut pour les quantités de 6 pcs - 175.43 USD