MIEB101H1200EH
Module: IGBT; transistor/transistor; redresseur H; Urmax: 1,2kV
Fabricant: IXYS
Marque du fabricant:
MIEB101H1200EH
Référence TME:
MIEB101H1200EH
Spécification
Fabricant | IXYS | |
Type de module semi-conducteur | IGBT | |
Construction de semi-conducteur | transistor/transistor | |
Topologie | redresseur H | |
Tension inverse max. | 1,2kV | |
Courant du collecteur | 128A | |
Boîtier | E3-Pack | |
Utilisation | moteurs, photovoltaïque | |
Montage électrique | Press-in PCB | |
Tension entrée - émetteur | ±20V | |
Courant du collecteur d'impulsion | 200A | |
Puissance de dissipation | 630W | |
La technologie | Sonic FRD™, SPT+ | |
Montage mécanique | vissés |
Poids brut10 g
Certificates
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* MIEB101H1200EHNombre de pièces (Multiplication: 1)
0 dans l'entrepôt TME
Prix net pour les quantités de 1 pcs - 197.96 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 237.55 USD
Prix net pour les quantités de 3 pcs - 174.67 USDPrix brut pour les quantités de 3 pcs - 209.61 USD
Prix net pour les quantités de 5 pcs - 157.21 USDPrix brut pour les quantités de 5 pcs - 188.65 USD