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MIEB101W1200EH

Module: IGBT; transistor/transistor; redresseur 3-phases IGBT


Fabricant: IXYS

Marque du fabricant:
MIEB101W1200EH
Référence TME:
MIEB101W1200EH

Spécification

Fabricant
IXYS
Type de module semi-conducteur
IGBT
Construction de semi-conducteur
transistor/transistor
Topologie
redresseur 3-phases IGBT
Tension inverse max.
1,2kV
Courant du collecteur
128A
Boîtier
E3-Pack
Utilisation
moteurs, photovoltaïque
Montage électrique
Press-in PCB
Tension entrée - émetteur
±20V
Courant du collecteur d'impulsion
200A
Puissance de dissipation
630W
La technologie
Sonic FRD™, SPT+
Montage mécanique
vissés
Poids brut10 g
Certificates
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MIEB101W1200EH
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Prix net pour les quantités de 1 pcs - 214.00 EURPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 256.81 EUR
Prix net pour les quantités de 3 pcs - 188.00 EURPrix brut pour les quantités de 3 pcs - 225.61 EUR
Prix net pour les quantités de 5 pcs - 168.00 EURPrix brut pour les quantités de 5 pcs - 201.60 EUR
Nombre de pièces (Multiplication: 1)
La quantité minimum possible pour la commande: 1.
Multiplication: 1.