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MIXG240RF1200PTED

Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; X2PT


Fabricant: IXYS

Marque du fabricant:
MIXG240RF1200PTED
Référence TME:
MIXG240RF1200PTED

Spécification

Fabricant
IXYS
Type de module semi-conducteur
IGBT
Construction de semi-conducteur
diode/transistor
Topologie
boost chopper
Tension inverse max.
1,2kV
Courant du collecteur
250A
Boîtier
E2-Pack PFP
Montage électrique
Press-Fit
La technologie
X2PT
Montage mécanique
vissés
Poids brut100 g
Certificates
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MIXG240RF1200PTED
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