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MSCSM120TAM11CTPAG

Module; diode SiC/transistor; 1,2kV; 200A; SP6P; Press-in PCB

Fabricant: MICROCHIP TECHNOLOGY

Marque du fabricant:
MSCSM120TAM11CTPAG
Référence TME:
MSCSM120TAM11CTPAG

Spécification

Fabricant
MICROCHIP TECHNOLOGY
Type de module semi-conducteur
de transistor MOSFET
Construction de semi-conducteur
diode SiC/transistor
Tension drain-source
1,2kV
Courant du drain
200A
Boîtier
SP6P
Topologie
demi point MOSFET x3 + diodes parallèles, thermistor NTC
Montage électrique
Press-in PCB
Résistance en état de conduction
10,4mΩ
Courant du drain dans l'impulsion
500A
Puissance de dissipation
1042W
La technologie
SiC
Montage mécanique
vissés
Poids brut250 g
Certificates

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MSCSM120TAM11CTPAG
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Prix net pour les quantités de 1 pcs - 702.96 EURPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 843.55 EUR
Nombre de pièces (Multiplication: 1)