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Fabricant | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Type de diode | TVS | |
Puissance dispercée dans l'impulsion max. | 3kW | |
Tension inverse max. | 28V | |
Tension de claquage | 32,8V | |
Courant d'impulsion max. | 66A | |
Construction de semi-conducteur | bidirectionnelle | |
Tolérance | ±5% | |
Boîtier | DO214AB | |
Montage | SMD | |
courant de fuite | 2µA |