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Fabricant | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Type de diode | TVS | ||
Puissance dispercée dans l'impulsion max. | 3kW | ||
Tension inverse max. | 30V | ||
Tension de claquage | 33,3V | ||
Construction de semi-conducteur | bidirectionnelle | ||
Boîtier | DO214AB, SMC | ||
Montage | SMD | ||
Nombre de canaux | 1 | ||
Genre de la emballage | bande, rouleau | ||
Température de travail | -65...150°C |