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Fabricant	MICROCHIP TECHNOLOGY
Type de diode	TVS
Puissance dispercée dans l'impulsion max.	3kW
Tension inverse max.	51V
Tension de claquage	59,7V
Courant d'impulsion max.	36,4A
Construction de semi-conducteur	à sens unique
Tolérance	±5%
Boîtier	DO214AB
Montage	SMD
courant de fuite	2µA

MSMLJ51AE3

Diode: TVS; 3kW; 59,7V; 36,4A; à sens unique; ±5%; DO214AB

Spécification

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. est un importateur des produits de cette marque