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Fabricant | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Type de diode | TVS | ||
Puissance dispercée dans l'impulsion max. | 3kW | ||
Tension inverse max. | 54V | ||
Tension de claquage | 63,2V | ||
Courant d'impulsion max. | 34,4A | ||
Construction de semi-conducteur | bidirectionnelle | ||
Tolérance | ±5% | ||
Boîtier | DO214AB | ||
Montage | SMD | ||
courant de fuite | 2µA |