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Fabricant	NTE Electronics
Type de transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolaire
Genre de transistor	RF
Tension drain-source	20V
Courant du drain	25mA
Puissance de dissipation	0,2W
Tension entrée-source	±10V
Genre de canal	appauvri
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs	dual gate
Version	ESD

NTE455

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; RF; 20V; 25mA; 200mW; ESD

Spécification