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Fabricant	ONSEMI
Type de module semi-conducteur	de transistor MOSFET
Construction de semi-conducteur	transistor/transistor
Tension drain-source	1,2kV
Courant du drain	304A
Boîtier	PIM36
Topologie	demi-pont MOSFET
Montage électrique	Press-in PCB
Résistance en état de conduction	7,28mΩ
Courant du drain dans l'impulsion	912A
Puissance de dissipation	950W
La technologie	SiC
Tension entrée-source	-15...25V
Genre de la emballage	plateau
Montage mécanique	vissés

NXH006P120MNF2PTG

Module; transistor/transistor; 1,2kV; 304A; PIM36; Press-in PCB

Spécification