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Fabricant	ONSEMI
Type de module semi-conducteur	de transistor MOSFET
Construction de semi-conducteur	transistor/transistor
Tension drain-source	1,2kV
Courant du drain	114A
Boîtier	PIM18
Topologie	demi-pont MOSFET
Montage électrique	Press-in PCB
Résistance en état de conduction	14,5mΩ
Courant du drain dans l'impulsion	228A
Puissance de dissipation	413W
La technologie	SiC
Tension entrée-source	-15...25V
Genre de la emballage	plateau
Montage mécanique	vissés

NXH010P120MNF1PG

Module; transistor/transistor; 1,2kV; 114A; PIM18; Press-in PCB

Spécification