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Fabricant	ONSEMI
Type de module semi-conducteur	de transistor MOSFET
Construction de semi-conducteur	transistor/transistor
Tension drain-source	1,2kV
Courant du drain	105A
Boîtier	PIM34
Topologie	redresseur H
Montage électrique	Press-in PCB
Résistance en état de conduction	21,9mΩ
Courant du drain dans l'impulsion	316A
Puissance de dissipation	244W
La technologie	SiC
Tension entrée-source	-10...22V
Genre de la emballage	plateau
Montage mécanique	vissés

NXH011F120M3F2PTHG

Module; transistor/transistor; 1,2kV; 105A; PIM34; Press-in PCB

Spécification