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NXH450B100H4Q2F2PG

Module: IGBT; diode SiC/transistor; Urmax: 1kV; Ic: 450A; Press-Fit

Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
NXH450B100H4Q2F2PG
Référence TME:
NXH450B100H4Q2F2PG

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de module semi-conducteur
IGBT
Construction de semi-conducteur
diode SiC/transistor
Tension inverse max.
1kV
Courant du collecteur
450A
Utilisation
onduleur, pour UPS
Montage électrique
Press-Fit
Tension entrée - émetteur
±20V
La technologie
SiC
Montage mécanique
vissés
Poids brut100 g
Certificates
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NXH450B100H4Q2F2PG
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Prix net pour les quantités de 36 pcs - 155.38 EURPrix brut pour les quantités de 36 pcs - 186.46 EUR
Nombre de pièces (Multiplication: 36)