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QS8J13TR

Transistor: P-MOSFET x2; unipolaire; -12V; -5,5A; Idm: -18A; 1,5W


Fabricant: ROHM SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:
QS8J13TR
Référence TME:
QS8J13TR

Spécification

Fabricant
ROHM SEMICONDUCTOR
Type de transistor
P-MOSFET x2
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
-12V
Courant du drain
-5,5A
Courant du drain dans l'impulsion
-18A
Puissance de dissipation
1,5W
Boîtier
TSMT8
Résistance en état de conduction
58mΩ
Montage
SMD
Charge d'entrée
60nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Version
ESD
Poids brut0.1 g
Certificates

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QS8J13TR
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