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SKM100GB125DN

Module: IGBT; transistor/transistor; demi-pont IGBT; Urmax: 1,2kV

Documentation EN
Famille de produits

Fabricant: SEMIKRON DANFOSS

Marque du fabricant:
SKM100GB125DN

Désignations alternatives: 21915390

Référence TME:
SKM100GB125DN

Spécification

Fabricant
SEMIKRON DANFOSS
Type de module semi-conducteur
IGBT
Construction de semi-conducteur
transistor/transistor
Topologie
demi-pont IGBT
Tension inverse max.
1,2kV
Courant du collecteur
80A
Boîtier
SEMITRANS2N
Version
D93
Utilisation
onduleur, photovoltaïque, pour UPS
Montage électrique
FASTON connecteurs, vissés
Tension entrée - émetteur
±20V
Courant du collecteur d'impulsion
150A
Montage mécanique
vissés
Poids brut161.08 g
Certificates

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SKM100GB125DN
84 dans l'entrepôt TME
Prix net pour les quantités de 1 pcs - 144.23 EURPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 173.07 EUR
Prix net pour les quantités de 8 pcs - 133.41 EURPrix brut pour les quantités de 8 pcs - 160.08 EUR
Nombre de pièces (Multiplication: 1)
La quantité minimum possible pour la commande: 1.
Multiplication: 1.
Méthode d'emballage par le fabricantCarton = 8 pcs