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STGH30H65DFB-2AG

Transistor: IGBT; 650V; 30A; 260W; H2PAK


Fabricant: STMicroelectronics

Marque du fabricant:
STGH30H65DFB-2AG
Référence TME:
STGH30H65DFB-2AG

Spécification

Fabricant
STMicroelectronics
Type de transistor
IGBT
Tensions collecteur-émetteur
650V
Courant du collecteur
30A
Puissance de dissipation
260W
Boîtier
H2PAK
Tension entrée - émetteur
±20V
Courant du collecteur d'impulsion
90A
Montage
SMD
Charge d'entrée
155nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs
integrated anti-parallel diode
Poids brut3 g
Certificates
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STGH30H65DFB-2AG
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Prix net pour les quantités de 1 pcs - 3.73 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 4.48 USD
Prix net pour les quantités de 5 pcs - 3.03 USDPrix brut pour les quantités de 5 pcs - 3.64 USD
Prix net pour les quantités de 10 pcs - 2.71 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 3.25 USD
Prix net pour les quantités de 25 pcs - 2.33 USDPrix brut pour les quantités de 25 pcs - 2.80 USD
Prix net pour les quantités de 50 pcs - 2.25 USDPrix brut pour les quantités de 50 pcs - 2.70 USD
Nombre de pièces (Multiplication: 1)
La quantité minimum possible pour la commande: 1.
Multiplication: 1.