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STGP10M65DF2

Transistor: IGBT; 650V; 10A; 115W; TO220AB

Fabricant: STMicroelectronics

Marque du fabricant:
STGP10M65DF2
Référence TME:
STGP10M65DF2

Spécification

Fabricant
STMicroelectronics
Type de transistor
IGBT
Tensions collecteur-émetteur
650V
Courant du collecteur
10A
Puissance de dissipation
115W
Boîtier
TO220AB
Tension entrée - émetteur
±20V
Courant du collecteur d'impulsion
40A
Montage
THT
Charge d'entrée
28nC
Genre de la emballage
tube
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs
integrated anti-parallel diode
Poids brut1.986 g
Certificates
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STGP10M65DF2
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Prix net pour les quantités de 1 pcs - 1.61 EURPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 1.93 EUR
Prix net pour les quantités de 10 pcs - 1.04 EURPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 1.25 EUR
Prix net pour les quantités de 50 pcs - 0.84 EURPrix brut pour les quantités de 50 pcs - 1.00 EUR
Prix net pour les quantités de 100 pcs - 0.81 EURPrix brut pour les quantités de 100 pcs - 0.97 EUR
Nombre de pièces (Multiplication: 1)
Méthode d'emballage par le fabricantTube = 50 pcs