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STGP30M65DF2

Transistor: IGBT; 650V; 30A; 258W; TO220AB

Fabricant: STMicroelectronics

Marque du fabricant:
STGP30M65DF2
Référence TME:
STGP30M65DF2

Spécification

Fabricant
STMicroelectronics
Type de transistor
IGBT
Tensions collecteur-émetteur
650V
Courant du collecteur
30A
Puissance de dissipation
258W
Boîtier
TO220AB
Tension entrée - émetteur
±20V
Courant du collecteur d'impulsion
120A
Montage
THT
Charge d'entrée
80nC
Genre de la emballage
tube
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs
integrated anti-parallel diode
Poids brut1.997 g
Certificates
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STGP30M65DF2
52 dans l'entrepôt TME
Prix net pour les quantités de 1 pcs - 2.20 EURPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 2.63 EUR
Prix net pour les quantités de 3 pcs - 1.97 EURPrix brut pour les quantités de 3 pcs - 2.37 EUR
Prix net pour les quantités de 10 pcs - 1.61 EURPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 1.94 EUR
Prix net pour les quantités de 50 pcs - 1.22 EURPrix brut pour les quantités de 50 pcs - 1.46 EUR
Prix net pour les quantités de 100 pcs - 1.09 EURPrix brut pour les quantités de 100 pcs - 1.31 EUR
Prix net pour les quantités de 150 pcs - 1.06 EURPrix brut pour les quantités de 150 pcs - 1.28 EUR
Nombre de pièces (Multiplication: 1)
Méthode d'emballage par le fabricantTube = 50 pcs