STGSH80HB65DAG
Module: IGBT; transistor/transistor; demi-pont IGBT; Urmax: 650V
Fabricant: STMicroelectronics
Marque du fabricant:
STGSH80HB65DAG
Référence TME:
STGSH80HB65DAG
Spécification
Fabricant | STMicroelectronics | ||
Type de module semi-conducteur | IGBT | ||
Construction de semi-conducteur | transistor/transistor | ||
Topologie | demi-pont IGBT | ||
Tension inverse max. | 650V | ||
Courant du collecteur | 68A | ||
Boîtier | ACEPACK SMIT | ||
Montage électrique | SMT | ||
Tension entrée - émetteur | ±20V | ||
Courant du collecteur d'impulsion | 269A | ||
Puissance de dissipation | 250W |
Poids brut2 g
Certificates
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* STGSH80HB65DAGNombre de pièces (Multiplication: 1)
0 dans l'entrepôt TME
Prix net pour les quantités de 1 pcs - 27.45 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 32.94 USD