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Fabricant	STMicroelectronics
Type de module semi-conducteur	IGBT
Construction de semi-conducteur	transistor/transistor
Topologie	demi-pont IGBT
Tension inverse max.	650V
Courant du collecteur	68A
Boîtier	ACEPACK SMIT
Montage électrique	SMT
Tension entrée - émetteur	±20V
Courant du collecteur d'impulsion	269A
Puissance de dissipation	250W

STGSH80HB65DAG

Module: IGBT; transistor/transistor; demi-pont IGBT; Urmax: 650V

Spécification