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STGW30M65DF2

Transistor: IGBT; 650V; 30A; 258W; TO247-3

Fabricant: STMicroelectronics

Marque du fabricant:
STGW30M65DF2
Référence TME:
STGW30M65DF2

Spécification

Fabricant
STMicroelectronics
Type de transistor
IGBT
Tensions collecteur-émetteur
650V
Courant du collecteur
30A
Puissance de dissipation
258W
Boîtier
TO247-3
Tension entrée - émetteur
±20V
Courant du collecteur d'impulsion
120A
Montage
THT
Charge d'entrée
80nC
Genre de la emballage
tube
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs
integrated anti-parallel diode
Poids brut5 g
Certificates
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STGW30M65DF2
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Prix net pour les quantités de 1 pcs - 3.20 EURPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 3.83 EUR
Prix net pour les quantités de 3 pcs - 2.88 EURPrix brut pour les quantités de 3 pcs - 3.45 EUR
Prix net pour les quantités de 10 pcs - 2.55 EURPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 3.05 EUR
Prix net pour les quantités de 30 pcs - 2.29 EURPrix brut pour les quantités de 30 pcs - 2.74 EUR
Prix net pour les quantités de 120 pcs - 2.13 EURPrix brut pour les quantités de 120 pcs - 2.56 EUR
Nombre de pièces (Multiplication: 1)