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STGW40H65DFB

Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO247-3

Fabricant: STMicroelectronics

Marque du fabricant:
STGW40H65DFB
Référence TME:
STGW40H65DFB

Spécification

Fabricant
STMicroelectronics
Type de transistor
IGBT
Tensions collecteur-émetteur
650V
Courant du collecteur
40A
Puissance de dissipation
283W
Boîtier
TO247-3
Tension entrée - émetteur
±30V
Courant du collecteur d'impulsion
160A
Montage
THT
Charge d'entrée
0,21µC
Genre de la emballage
tube
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs
integrated anti-parallel diode
Poids brut4.58 g
Certificates
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STGW40H65DFB
247 dans l'entrepôt TME
Prix net pour les quantités de 1 pcs - 2.29 GBPPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 2.74 GBP
Prix net pour les quantités de 2 pcs - 1.95 GBPPrix brut pour les quantités de 2 pcs - 2.34 GBP
Prix net pour les quantités de 10 pcs - 1.52 GBPPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 1.83 GBP
Prix net pour les quantités de 30 pcs - 1.33 GBPPrix brut pour les quantités de 30 pcs - 1.60 GBP
Prix net pour les quantités de 120 pcs - 1.27 GBPPrix brut pour les quantités de 120 pcs - 1.52 GBP
Nombre de pièces (Multiplication: 1)
Méthode d'emballage par le fabricantTube = 30 pcs