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STGW80H65DFB

Transistor: IGBT; 650V; 80A; 470W; TO247-3

Fabricant: STMicroelectronics

Marque du fabricant:
STGW80H65DFB
Référence TME:
STGW80H65DFB

Spécification

Fabricant
STMicroelectronics
Type de transistor
IGBT
Tensions collecteur-émetteur
650V
Courant du collecteur
80A
Puissance de dissipation
470W
Boîtier
TO247-3
Tension entrée - émetteur
±20V
Courant du collecteur d'impulsion
300A
Montage
THT
Charge d'entrée
414nC
Genre de la emballage
tube
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs
integrated anti-parallel diode
Poids brut4.582 g
Certificates
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STGW80H65DFB
113 dans l'entrepôt TME
Prix net pour les quantités de 1 pcs - 4.72 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 5.67 USD
Prix net pour les quantités de 5 pcs - 4.32 USDPrix brut pour les quantités de 5 pcs - 5.19 USD
Prix net pour les quantités de 10 pcs - 4.06 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 4.88 USD
Prix net pour les quantités de 30 pcs - 3.52 USDPrix brut pour les quantités de 30 pcs - 4.22 USD
Prix net pour les quantités de 120 pcs - 3.26 USDPrix brut pour les quantités de 120 pcs - 3.91 USD
Nombre de pièces (Multiplication: 1)
Méthode d'emballage par le fabricantTube = 30 pcs